一种垂直腔半导体光放大器及光放大系统
张星; 吴昊
2019-08-09
著作权人长春中科长光时空光电技术有限公司
专利号CN110112654A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种垂直腔半导体光放大器及光放大系统
英文摘要本发明公开了一种垂直腔半导体光放大器,包括光放大芯片、傅里叶变换透镜、衍射光学元件和顶腔镜;光放大芯片包括有源区和位于有源区一侧表面的底腔镜;有源区背向底腔镜一侧沿远离底腔镜的方向依次设置有傅里叶变换透镜、衍射光学元件以及顶腔镜。信号光会在光放大芯片表面形成二维信号光点阵,极大的增加光放大芯片中信号光以及泵浦光的工作面积,有利于降低光放大芯片中光能量密度和发热密度,有利于信号光更加充分的抽取泵浦光功率;根据自适应效应通过相干光束合成最终输出一束高增益的信号光,从而可以在保证基模输出的前提下获得很高的信号光增益与饱和输出光功率。本发明还提供了一种垂直腔半导体光放大系统,同样具有上述有益效果。
公开日期2019-08-09
申请日期2019-06-26
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92442]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长春中科长光时空光电技术有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
张星,吴昊. 一种垂直腔半导体光放大器及光放大系统. CN110112654A. 2019-08-09.
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