可调谐光发射器件及其制备方法
张保平
2019-03-19
著作权人世坤(厦门)半导体科技有限公司
专利号CN109494285A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名可调谐光发射器件及其制备方法
英文摘要本发明提供了一种可调谐光发射器件及其制备方法,具有一外延层结构,位于外延层结构两侧的上反射镜和下反射镜,以及分别与外延层结构相连的上电极和下电极;外延层结构具有第一类型外延层、第二类型外延层、位于第一类型外延层和第二类型外延层之间的有源区;第一类型不同于第二类型;有源区采用不同尺寸、不同材料和/或不同结构的量子结构和/或纳米结构。本发明采用宽光谱增益有源区,得到了可调谐增益特性。结合谐振腔效应,得到了发光波长在不同模式之间可调谐输出特性。由于采用了不同尺寸、不同结合和不同化学组分的纳米结构和/或量子点结构,引起能带结构变化,获得宽光谱增益,再结合谐振腔的选模作用,实现大范围多模式可调谐。
公开日期2019-03-19
申请日期2018-10-19
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92358]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位世坤(厦门)半导体科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
张保平. 可调谐光发射器件及其制备方法. CN109494285A. 2019-03-19.
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