| 双模激光器THz泵浦源的制作方法 | |
| 梁松; 刘云龙 | |
| 2018-11-30 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN108923259A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 双模激光器THz泵浦源的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种双模激光器THz泵浦源的制作方法，包括如下制作步骤：利用选择区域外延生长技术或对接生长技术在衬底上获得增益区量子阱的材料、放大器区量子阱的材料及调制器区量子阱的材料；利用量子阱混杂技术或对接生长技术，在衬底上获得获得光栅区的材料及相位区的材料；在光栅区的材料上制作光栅；在增益区的量子阱材料、放大器区的量子阱材料、调制器区的量子阱材料、相位区的材料和光栅区的材料上生长接触层；在接触层上相对于增益区、放大器区、调制器区、光栅区及相位区之间的位置制作隔离沟；在接触层上的隔离沟之间分别制作电吸收调制器电极、光放大器电极、前光栅电极、增益区电极、相位区电极及后光栅电极；将衬底减薄后在其背面制作N面电极。 |
| 公开日期 | 2018-11-30 |
| 申请日期 | 2018-07-18 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92283]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁松,刘云龙. 双模激光器THz泵浦源的制作方法. CN108923259A. 2018-11-30. |
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