太赫兹量子级联激光器中陷阱式双声子有源区能级结构的设计方法
陈长水; 李金锋; 王腾飞; 周文辉; 莘杰
2018-11-30
著作权人华南师范大学
专利号CN108923258A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名太赫兹量子级联激光器中陷阱式双声子有源区能级结构的设计方法
英文摘要本发明公开了太赫兹量子级联激光器中陷阱式双声子有源区能级结构的设计方法,包括步骤:(1)设计太赫兹量子级联激光器有源区一个周期的阱宽势垒宽度;(2)通过薛定谔方程求解有源区能级,确定能级分布以及是否符合设计要求;(3)求解有源区速率方程,获得激光器有源区的输出特性,以此来验证设计可行性。该方法使用薛定谔求解量子阱能级理论进行计算,以此来确定能级位置的准确性,能够解决太赫兹量子级联激光器中电子因温度过高而导致的热激发,热泄露的问题,以此来获得更高的激光器操作温度和输出特性。
公开日期2018-11-30
申请日期2018-07-12
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92281]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华南师范大学
推荐引用方式
GB/T 7714
陈长水,李金锋,王腾飞,等. 太赫兹量子级联激光器中陷阱式双声子有源区能级结构的设计方法. CN108923258A. 2018-11-30.
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