| 一种DFB激光器的外延结构及其制备方法 | |
| 单智发 | |
| 2017-02-15 | |
| 著作权人 | 苏州全磊光电有限公司 |
| 专利号 | CN106410606A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种DFB激光器的外延结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种DFB激光器的外延结构，包括InP衬底，在InP衬底上自下而上依次设置有缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、第二缓冲层、腐蚀阻挡层、包层和光栅层；在光栅层上面设置有二次外延层，所述二次外延层自下而上包括光栅包层、势垒渐变层和欧姆接触层，所述光栅包层包括光栅覆盖层和过渡层，所述光栅覆盖层厚度大于光栅层厚度。本发明还公开上述DFB激光器外延结构的制备方法，其光栅覆盖层采用低温、脉冲式慢速生长，且同时通入850sccm‑950sccm的PH3气体，抑制光栅层P的挥发；过渡层采用高温、快速生长。本发明能防止光栅层被刻蚀，提升DFB激光器外延结构品质，降低DFB激光器的应用成本。 |
| 公开日期 | 2017-02-15 |
| 申请日期 | 2016-07-01 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90210]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州全磊光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单智发. 一种DFB激光器的外延结构及其制备方法. CN106410606A. 2017-02-15. |
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