| 斜腔半导体光放大器的耦合方法 | |
| 于丽娟; 王玮钰; 袁海庆; 刘建国; 祝宁华 | |
| 2015-04-15 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN104518425A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 斜腔半导体光放大器的耦合方法 |
| 英文摘要 | 一种斜腔半导体光放大器的耦合方法，包括以下步骤：步骤1：根据半导体光放大器芯片中的斜波导的倾斜角计算光的出射角；步骤2：以出射角顺时针旋转半导体光放大器的芯片，使出射光为水平方向；步骤3：芯片出射光的耦合光纤分别对准芯片两端腔面的出射光方向；步骤4：固定两端的耦合光纤，使光纤对准波导的出光方向，完成耦合。本发明能够高效耦合斜腔半导体光放大器芯片，具有结构简单和方便适用的特点。 |
| 公开日期 | 2015-04-15 |
| 申请日期 | 2014-12-17 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90134]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于丽娟,王玮钰,袁海庆,等. 斜腔半导体光放大器的耦合方法. CN104518425A. 2015-04-15. |
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