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	Semiconductor laser
	KIMURA, TATSUYA; ONO, KENICHI
	2006-04-20
著作权人	MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
专利号	US20060083279A1
国家	美国
文献子类	发明申请
其他题名	Semiconductor laser
英文摘要	A semiconductor laser in which six layers are grown on one another, over an Si—GaAs substrate, in the following order: an Si—GaAs buffer layer, an Si—AlGaInP cladding layer, an active layer, an Mg—AlGaInP cladding layer, an Mg—AlGaInP band discontinuity reduction layer, and a Zn—GaAs contact layer. In this configuration, the carrier concentration of the Si—GaAs substrate may be from 1×1017 cm−3 to 7×1017 cm−3 to reduce the number of atoms diffusing from the Si—GaAs substrate into the active layer and so the active layer of the semiconductor laser has good light emission characteristics.
公开日期	2006-04-20
申请日期	2005-06-02
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87290]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	KIMURA, TATSUYA,ONO, KENICHI. Semiconductor laser. US20060083279A1. 2006-04-20.

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