偏波変調可能な半導体レーザ
新田 淳
1997-11-28
著作权人キヤノン株式会社
专利号JP1997307194A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名偏波変調可能な半導体レーザ
英文摘要【課題】外部からの小さな動作電流によって出力光の偏光状態を変化させることができる偏波変調可能な半導体レーザである。 【解決手段】活性層4へ電流を注入する複数の電極8、9、10を有する分布帰還型半導体レーザである。活性層4が量子井戸構造であり、量子井戸構造を構成する井戸部分の半導体結晶の格子定数が基板1の格子定数より小さい。分布帰還を実現する為に形成されている回折格子11の導波路のTEモードに対するブラッグ波長が、半導体レーザを動作させているときの利得係数が最大値を示す波長またはその波長より短波長側にある。しきい値がTEとTMでほぼ同じになっている。
公开日期1997-11-28
申请日期1996-05-17
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86549]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位キヤノン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
新田 淳. 偏波変調可能な半導体レーザ. JP1997307194A. 1997-11-28.
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