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	半導体レーザ素子の製造方法
	細羽 弘之; 関 章憲; 幡 俊雄; 近藤 雅文; 須山 尚宏
	1998-07-31
著作权人	シャープ株式会社
专利号	JP2810254B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	半導体レーザ素子の製造方法
英文摘要	PURPOSE:To improve optical crystallinity of a semiconductor layer for constituting a multilayer structure of a semiconductor laser element and flatness and steepness of a hetero junction boundary, and to easily control thickness and composition of the layer having large reevaporating velocity. CONSTITUTION:Semiconductor layers are sequentially grown on a semiconductor substrate 10 by an MBE method. In this case, a relatively high temperature is used for a first lower clad layer 11 and a second upper clad layer 15. On the contrary, a relatively low temperature is used for a first upper clad layer 12, an active layer 13 and a second lower clad layer 14 having a high reevaporating velocity.
公开日期	1998-10-15
申请日期	1991-06-03
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83564]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	細羽 弘之,関 章憲,幡 俊雄,等. 半導体レーザ素子の製造方法. JP2810254B2. 1998-07-31.

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