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	Semiconductor light-emitting device and production method thereof
	KIDOGUCHI, ISAO; ADACHI, HIDETO; ISHIBASHI, AKIHIKO; OHNAKA, KIYOSHI; BAN, YUZABURO; KUBO, MINORU
	1998-05-12
著作权人	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
专利号	US5751013
国家	美国
文献子类	授权发明
其他题名	Semiconductor light-emitting device and production method thereof
英文摘要	PCT No. PCT/JP95/01447 Sec. 371 Date Mar. 21, 1996 Sec. 102(e) Date Mar. 21, 1996 PCT Filed Jul. 20, 1995 PCT Pub. No. WO96/03776 PCT Pub. Date Feb. 8, 1996A semiconductor light-emitting device with a double hetero structure, including: an active layer made of Ga1-xInxN (0
公开日期	1998-05-12
申请日期	1995-07-20
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83015]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	KIDOGUCHI, ISAO,ADACHI, HIDETO,ISHIBASHI, AKIHIKO,et al. Semiconductor light-emitting device and production method thereof. US5751013. 1998-05-12.

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