| 半导体激光发生装置 | |
| 陶桦 | |
| 2019-08-16 | |
| 著作权人 | 华科微磁(北京)光电技术有限公司 |
| 专利号 | CN110137798A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光发生装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体激光发生装置，包括激光器、温度传感器、热沉、电加热片、温度测量单元和温度控制单元；所述热沉层叠在激光器与电加热片之间，所述热沉的相对的两侧表面分别与激光器和电加热片紧密贴合，所述电加热片与温度控制单元电连接。这种半导体激光发生装置取消具有强磁性的TEC温度控制模块，温度测量单元采用高频交流信号激励温度传感器，避免温度测量时产生低频交流感应磁场，温度控制单元采用高频交流信号驱动电加热片，避免温度控制时产生低频交流感应磁场，确保激光光源自身不引入磁场偏置和磁场噪声，提高传感器的精度，达到量子传感器等对磁场敏感的领域应用要求。 |
| 公开日期 | 2019-08-16 |
| 申请日期 | 2019-05-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72549]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华科微磁(北京)光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陶桦. 半导体激光发生装置. CN110137798A. 2019-08-16. |
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