| 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| 秋田 勝史; 元木 健作 | |
| 1999-03-09 | |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 专利号 | JP1999068157A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光素子への加工等が容易で、且つ良好な発光をする発光素子を提供する。 【解決手段】 導電性基板8がFe-Ni合金であって、前記導電性接着剤がAu-Sn半田7である。本発明による半導体発光素子の製造方法は、GaAs(111)A基板1に発光層を含むGaN系半導体層の積層を成長した後、導電性の接着剤により前記積層表面に設けた電極面と導電性基板とを接着した後、GaAs(111)A基板1を除去する。GaAs(111)A基板1をアンモニア系エッチャントによるウェットエッチングによって除去する。 |
| 公开日期 | 1999-03-09 |
| 申请日期 | 1997-08-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71384]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秋田 勝史,元木 健作. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1999068157A. 1999-03-09. |
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