| 一种窄脊条型GaAs基GaInP量子阱结构半导体激光器的制备方法 | |
| 王金翠; 沈燕; 张木青; 刘欢; 徐现刚 | |
| 2016-01-06 | |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 专利号 | CN105226502A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种窄脊条型GaAs基GaInP量子阱结构半导体激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明一种窄脊条型GaAs基GaInP量子阱结构半导体激光器的制备方法，通过在外延片上面旋涂光刻胶后利用PECVD生长干法刻蚀的掩膜，再选用合适的光刻版通过光刻制备需要的掩膜图形，采用干法刻蚀的方式刻蚀掉没有保护处的掩膜和光刻胶，制备出所需要的掩膜图形以及与掩膜图形一致的光刻胶图形，而且光刻胶图形在掩膜图形的下面，再利用干法刻蚀的方式制备出侧面垂直且形貌比较好的脊型结构，最后生长电流阻挡层，剥离光刻胶去掉脊条上面的电流阻挡层，制备出侧面垂直形貌良好的脊型结构。本方法不仅可以利用干法刻蚀的方式制备出侧面垂直形貌良好无盖帽的脊型结构，还采用剥离生长电流阻挡层的方式，在脊条上面形成良好的欧姆接触，防止电流侧向泄露，减小激光器的阈值电流，提高激光器的性能。 |
| 公开日期 | 2016-01-06 |
| 申请日期 | 2014-06-30 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65056]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王金翠,沈燕,张木青,等. 一种窄脊条型GaAs基GaInP量子阱结构半导体激光器的制备方法. CN105226502A. 2016-01-06. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论