| 窒化ガリウム系ハイブリッド素子及びその作製方法 | |
| 長濱 慎一; 中村 修二 | |
| 2000-11-14 | |
| 著作权人 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 专利号 | JP2000315814A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系ハイブリッド素子及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 DVD等の記録材料の記録容量の増加を可能とし、さらにピックアップの小型化を可能とするような窒化ガリウム系ハイブリッド素子を提供することである。 【解決手段】 基板1の同一面上に、n型窒化物半導体層2、InxGa1-xN(0≦x<1)を含んでなる多重量子井戸構造の活性層3、及びp型窒化物半導体層4を形成してなるリッジ形状のストライプを有する窒化物半導体レーザ素子と、n型窒化物半導体層11、i型窒化物半導体層12及びp型窒化物半導体層13を形成してなる信号検出用フォトダイオードとが形成されてなる。 |
| 公开日期 | 2000-11-14 |
| 申请日期 | 1999-04-30 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60277]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長濱 慎一,中村 修二. 窒化ガリウム系ハイブリッド素子及びその作製方法. JP2000315814A. 2000-11-14. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论