| 極超微粒子状態を用いた電子機能素子の生成方法 | |
| 仁科 雄一郎; 粕谷 厚生; チャイカ リーシャルド | |
| 1994-09-16 | |
| 著作权人 | 東北大学長 |
| 专利号 | JP1994260724A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 極超微粒子状態を用いた電子機能素子の生成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は超高密度の情報処理及び記憶に用いられる電子機能素子の固化生成方法であり、これを適用できる分野は光エレクトロニクス電子計算機、化学センサーその他情報信号処理、及び記憶のための電子工学素子である。 【構成】 Si,Ge,Cの何れかよりなる四族元素、As,Sb,Biの何れかよりなる五族元素、S,Se,Teの何れかより成る六族元素より選択した何れか1種又は2種以上の極超微粒子を有機溶媒に溶かし、その濃度と温度を制御しながら乾燥させることにより、サイズの違った極超微粒子を分離して、それぞれ単一サイズの状態で数nm以上数拾nmの大きさで規則性をもって配列し、固化生成すること及び基板の固体表面上に配列した極超微粒子の中で特定の位置にある極超微粒子を電場、磁場、光の何れかの外場によって取り除き又は移動させ、或は極超微粒子の構造及び性質を変化させたりする操作を施し、極超微粒子の構造及び配列を外場で制御することを特徴とする極超微粒子状態を用いた電子機能素子の生成方法。 |
| 公开日期 | 1994-09-16 |
| 申请日期 | 1993-03-05 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59841]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 東北大学長 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仁科 雄一郎,粕谷 厚生,チャイカ リーシャルド. 極超微粒子状態を用いた電子機能素子の生成方法. JP1994260724A. 1994-09-16. |
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