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	牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法
	晏长岭; 刘云; 史建伟; 冯源; 郝永芹; 李辉; 王佳彬
	2018-06-22
著作权人	长春理工大学
专利号	CN108199256A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法
英文摘要	牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器制造技术领域。现有倒封装技术不能直接用来解决微盘腔半导体激光器的散热问题。本发明之方法将发光发热区制作成彼此分立的支撑结构和微盘腔；在支撑结构上部的欧姆接触层上制作绝缘层；在微盘腔上部表面制作上电极，同时在绝缘层上表面也形成上电极金属材料层，在衬底的底部表面制作下电极；最后由一个焊接层同时将上电极、电极金属材料层与热沉焊接在一起。本发明之激光器中的彼此分立的支撑结构和微盘腔结构相同，自支撑结构上部的欧姆接触层起依次还有绝缘层、上电极金属材料层，一个焊接层一侧与热沉焊接，所述焊接层的另一侧分别与微盘腔的上电极、电极金属材料层焊接。
公开日期	2018-06-22
申请日期	2018-01-11
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56842]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	晏长岭,刘云,史建伟,等. 牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法. CN108199256A. 2018-06-22.

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