用于近红外脑功能成像仪的强度自动调节光源系统及方法 | |
高峰; 丁雪梅; 贺捷; 王兵元; 刘东远; 李娇; 周仲兴; 赵会娟 | |
2018-06-05 | |
著作权人 | 天津大学 |
专利号 | CN108113652A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 用于近红外脑功能成像仪的强度自动调节光源系统及方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种用于近红外脑功能成像仪的光源强度自动调节方法,首先,调节移位寄存器输出使能信号有效;上电并初始化:FPGA将阻值最高调节信号按位传输到串入并出移位寄存器上,移位寄存器的输出使能有效时,阻值最高调节信号并行发送到数字电位器,将12路数字电位器的阻值调至最高,使得激光二极管光功率最小;设定光子计数范围,并发送到FPGA的寄存器;控制点亮一个光源;对探点的光强进行探测并计数;根据该计数是否在光子计数范围进行相应的调节。本发明可以针对不同个体光学参数的差异性,自动调节光源强度可保证系统信噪比一致,提高近红外光谱脑功能成像系统的光源强度自适应性能,提高系统的性价比,为推进脑功能研究奠定基础。 |
公开日期 | 2018-06-05 |
申请日期 | 2017-12-19 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56803] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 天津大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 高峰,丁雪梅,贺捷,等. 用于近红外脑功能成像仪的强度自动调节光源系统及方法. CN108113652A. 2018-06-05. |
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