| 一种685nmAlGaInP红光半导体激光器 | |
| 朱振; 张新; 徐现刚 | |
| 2018-05-29 | |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 专利号 | CN108092132A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种685nmAlGaInP红光半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其结构从下至上依次为衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆接触层；下缓冲层为AlxIn1‑xP组分渐变层，x由0.5线性渐变至0.4；上缓冲层为AlyIn1‑yP组分渐变层，y由0.4线性渐变至0.5。本发明通过AlInP组分渐变缓冲层，使得限制层及波导层的In组分增加到0.6。相比于现有的与GaAs晶格匹配的AlGaInP红光半导体激光器，本发明半导体激光器的量子阱层在低应变或者无应变条件下即可获得685nm的激光输出，不会存在高应变量带来的缺陷，同时可以使用厚阱结构，提高半导体激光器的微分效率。 |
| 公开日期 | 2018-05-29 |
| 申请日期 | 2016-11-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56788]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱振,张新,徐现刚. 一种685nmAlGaInP红光半导体激光器. CN108092132A. 2018-05-29. |
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