一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片
张明江; 张建忠; 牛亚楠; 刘毅; 赵彤; 乔丽君; 王安帮; 王云才
2018-02-02
著作权人太原理工大学
专利号CN107658694A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片
英文摘要本发明涉及集成混沌半导体激光器,具体是一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片。本发明有效解决了现有混沌激光源体积大、混沌信号带有时延特征、带宽窄以及光与光波导的耦合效率低的问题。随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片由:左分布式反馈半导体激光器,双向放大的半导体光放大器,左无源光波导部分,掺杂无源光波导部分,右无源光波导部分,右分布式反馈半导体激光器六部分组成。具体包括:N+电极层,N型衬底,InGaAsP下限制层,无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层,杂质,分布反馈Bragg光栅,InGaAsP上限制层,P型重掺杂的InP盖层,P型重掺杂InGaAs接触层,P+电极层,出光口,隔离沟。
公开日期2018-02-02
申请日期2017-11-16
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56621]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位太原理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
张明江,张建忠,牛亚楠,等. 一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片. CN107658694A. 2018-02-02.
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