| 一种新型有机半导体激光功率器的设计方法 | |
| 廖清; 高庆刚; 付红兵 | |
| 2019-06-25 | |
| 著作权人 | 首都师范大学 |
| 专利号 | CN109935689A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种新型有机半导体激光功率器的设计方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种新型有机半导体激光功率器的设计方法。该方法包括如下步骤：在真空条件下，有机半导体材料纳米线是通过物理气相沉积的办法在二氧化硅基底上制备的，所用有机半导体材料为TPSB分子。在纳米线两端蒸镀纯金电极，纯度99.999％。将前述步骤制备好的器件接入信号处理设备，从而组成新型有机半导体激光功率器。该物理气相沉积方法解决了有机半导体材料的纯度问题，使有机半导体纯度高达达到99.9999％。与无机半导体激光功率器相比，该方法极大降低半导体材料制备成本，快速方便，操作简单，可重复性非常高，较高纯度的微纳晶提高了半导体激光功率器的各项性能，提高功率器灵敏度，提高有机半导体稳定性，具有较高的应用价值。 |
| 公开日期 | 2019-06-25 |
| 申请日期 | 2017-12-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55335]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 首都师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖清,高庆刚,付红兵. 一种新型有机半导体激光功率器的设计方法. CN109935689A. 2019-06-25. |
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