消除半导体激光器COMD的方法及半导体激光器 | |
王俊; 李波; 程洋; 胡燚文 | |
2019-06-21 | |
著作权人 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
专利号 | CN109921277A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 消除半导体激光器COMD的方法及半导体激光器 |
英文摘要 | 本发明公开了一种消除半导体激光器COMD的方法及半导体激光器,其中,消除半导体激光器COMD的方法包括如下步骤:在衬底上形成外延层;在外延层上形成非吸收窗口结构;在非吸收窗口结构处进行解理;在解理面上形成钝化层。采用本发明提供的消除半导体激光器COMD的方法,非吸收窗口结构禁带宽度大,不会吸收光子,且由于在非吸收窗口结构进行了真空解理镀膜钝化,因而非吸收窗口结构表面态密度也比较低,有效抑制了载流子的非辐射复合,因此,腔面位置的发热量极低,COMD得以被完全消除。并且,对非吸收窗口结构进行真空解理钝化时,即使真空度适度减小,在激光器工作状态下腔面位置的非辐射复合仍然可以忽略不计,不会影响激光器的COMD阈值。 |
公开日期 | 2019-06-21 |
申请日期 | 2019-04-10 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55330] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,李波,程洋,等. 消除半导体激光器COMD的方法及半导体激光器. CN109921277A. 2019-06-21. |
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