| 一种片上集成级联放大半导体激光器 | |
| 唐淳; 周坤; 杜维川; 康俊杰; 李弋; 谭昊; 王昭; 高松信 | |
| 2019-06-11 | |
| 著作权人 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 专利号 | CN109873295A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种片上集成级联放大半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器，其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；DBR光栅结构设置于所述脊型区上；脊型区为脊型波导结构，锥型区为增益波导结构；外延波导具有一阶阶梯厚度，脊型区设置于外延波导较薄侧，锥型区设置于外延波导较厚侧，脊型区和所述锥型区级联。本设计的激光器较传统单纯利用锥型增益结构的激光放大方式，可以更加充分地利用锥型区增益，基于等光通量的原理，可以在模体积扩展的同时，保持了基模特性，保证了近衍射极限激光的光学质量，从而实现了亮度的大幅提升。 |
| 公开日期 | 2019-06-11 |
| 申请日期 | 2019-04-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55298]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐淳,周坤,杜维川,等. 一种片上集成级联放大半导体激光器. CN109873295A. 2019-06-11. |
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