一种双波长半导体激光器芯片结构
苏建; 李沛旭; 汤庆敏; 夏伟; 肖成峰
2019-02-12
著作权人山东华光光电子股份有限公司
专利号CN109326959A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种双波长半导体激光器芯片结构
英文摘要一种双波长半导体激光器芯片结构,包括:外延片Ⅰ,其下端面设置有向外凸起的条形发光区,条形发光区的宽度为3‑4μm;以及外延片Ⅱ,其上端面设置有向内凹陷的槽形发光区,槽形发光区的宽度为8‑10μm;外延片Ⅰ下端面与外延片Ⅱ的上端面粘合固定,所述条形发光区插装于对应的槽形发光区中。通过粘合工艺将外延片Ⅰ及外延片Ⅱ粘合,同时外延片Ⅰ上的条形发光区插入外延片Ⅱ上的槽形发光区中,从而形成一个激光器芯片同时出射两种波长激光的特性,其制作过程简单,可以充分应用到双波长激光器医疗领域和夜视枪瞄领域。由于不需要利用光线耦合技术以及复杂的光学透镜,因此极大的降低了双波长半导体激光器的制造成本。
公开日期2019-02-12
申请日期2017-08-01
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/54995]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
苏建,李沛旭,汤庆敏,等. 一种双波长半导体激光器芯片结构. CN109326959A. 2019-02-12.
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