| GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法 | |
| 舒斌; 范林西; 吴继宝; 陈景明; 张鹤鸣; 宣荣喜; 胡辉勇; 宋建军; 王斌 | |
| 2018-09-21 | |
| 著作权人 | 西安电子科技大学 |
| 专利号 | CN105610047B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种GeSn多量子阱金属腔激光器，包括Si衬底、以及自下而上设置在Si衬底上Ge缓冲层、下分布布拉格反射镜、有源层、上分布布拉格反射镜和Ge0.88Sn0.12缓冲层，有源层采用应变补偿量子阱结构，Ge0.88Sn0.12缓冲层、上分布布拉格反射镜、有源层和下分布布拉格反射镜刻蚀成圆柱形台面，圆柱形台面的侧面以及下分布布拉格反射镜表面生长有氮化硅薄膜，所述Ge0.88Sn0.12缓冲层和氮化硅薄膜表面上涂有Ag金属层。本发明既能够兼容CMOS工艺，又能够通过调整Sn组分的大小改变应力大小以实现锗锡光源对不同波长光的需求，且具有较高的光电转换效率和光稳定性，加工简单、方便。 |
| 公开日期 | 2018-09-21 |
| 申请日期 | 2016 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49322]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安电子科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舒斌,范林西,吴继宝,等. GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法. CN105610047B. 2018-09-21. |
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