| 量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法 | |
| 张锦川; 刘峰奇; 梁平; 胡颖; 王利军; 刘俊岐; 王占国 | |
| 2018-05-25 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN105244761B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种量子级联激光器相干阵列结构，包括：一衬底；一下波导层；一有源层，该有源层在横向被分成若干个不等宽度的微米条阵列，中间的微米条最宽，向两侧微米条宽度依次递减；一半绝缘InP：Fe层，该半绝缘InP：Fe层位于有源层的两侧且等宽度用来隔离微米条阵列；一上波导层。以及一种采用该相干阵列结构的量子级联激光器及其制造方法。本发明通过啁啾的有源脊宽度设计调整了微米条阵列间的增益分配，使基超模具有最低的波导损耗从而优先激射，从而改善了光束质量，同时利用半绝缘InP作为有源层的分隔区和光场的耦合区，不但实现了阵列的相干激射而且显著降低了有源区的工作温度，从而有利于提高器件的输出功率。 |
| 公开日期 | 2018-05-25 |
| 申请日期 | 2015-10-27 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49294]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张锦川,刘峰奇,梁平,等. 量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法. CN105244761B. 2018-05-25. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论