Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates | |
RARING, JAMES W.; SCHMIDT, MATHEW; POBLENZ, CHRISTIANE | |
2017-12-26 | |
著作权人 | SORAA LASER DIODE, INC. |
专利号 | US9853420 |
国家 | 美国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates |
英文摘要 | A low voltage laser device having an active region configured for one or more selected wavelengths of light emissions. |
公开日期 | 2017-12-26 |
申请日期 | 2016-11-29 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47831] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SORAA LASER DIODE, INC. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | RARING, JAMES W.,SCHMIDT, MATHEW,POBLENZ, CHRISTIANE. Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates. US9853420. 2017-12-26. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论