Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates
RARING, JAMES W.; SCHMIDT, MATHEW; POBLENZ, CHRISTIANE
2017-12-26
著作权人SORAA LASER DIODE, INC.
专利号US9853420
国家美国
文献子类授权发明
其他题名Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates
英文摘要A low voltage laser device having an active region configured for one or more selected wavelengths of light emissions.
公开日期2017-12-26
申请日期2016-11-29
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47831]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SORAA LASER DIODE, INC.
推荐引用方式
GB/T 7714
RARING, JAMES W.,SCHMIDT, MATHEW,POBLENZ, CHRISTIANE. Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates. US9853420. 2017-12-26.
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