전자 비임 증발 다층 거울을 구비한 광장치
데니스글렌뎁페; 닐로이쿠마듀타; 에르드만프레데릭슈베르트; 리웨이투; 죠지죤지드직
1998-05-20
著作权人에이티 앤드 티 코포레이션
专利号KR100147857B1
国家韩国
文献子类授权发明
其他题名전자 비임 증발 다층 거울을 구비한 광장치
英文摘要본 발명은 적어도 한쌍의 사분의 일 파장 층을 포함하는 상단 거울을 구비하는 VCSEL을 구현하는 것으로, 각 쌍은 저굴절율 층 및 고굴절율 층으로 이루어지고, 상기 고굴절율 층은 GaP 및 ZnS로 부터 선택된 반도체이고 상기 저굴절율을 층은 봉규산 유리(BSG), CaF2, MgF2 및 NaF로부터 선택된다. 다수의GaP/BSG 또는 ZnS/CdF2 쌍의 적층에 의해 형성된 거울은 수직 공동 표면 발광 레이저에서 특히 유용하다. 이러한 거울은 레이저의 효율적인 동작을 위해 요구되어지는 고반사 특성을 갖는다. GaP/BSG 또는ZnS/CaF2 거울 구조는 최종적인 반사율, 저손실, 성장 공정 후 양립성(post growth processigcompatiblity)의 관점에서 종래 기술의 VCSEL에 대한 설계보다 상당히 진보를 나타낸다.
公开日期1998-11-02
申请日期1992-12-24
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45591]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位에이티 앤드 티 코포레이션
推荐引用方式
GB/T 7714
데니스글렌뎁페,닐로이쿠마듀타,에르드만프레데릭슈베르트,et al. 전자 비임 증발 다층 거울을 구비한 광장치. KR100147857B1. 1998-05-20.
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