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	Process for producing an epitalixal layer of galium nitride
	FRAYSSINET, ERIC; BEAUMONT, BERNARD; FAURIE, JEAN-PIERRE; GIBART, PIERRE
著作权人	SAINT-GOBAIN CRISTAUX & DETECTEURS
专利号	US20070072320A1
国家	美国
文献子类	发明申请
其他题名	Process for producing an epitalixal layer of galium nitride
英文摘要	A method of manufacturing a low defect density GaN material comprising at least two step of growing epitaxial layers of GaN with differences in growing conditions, (a.) a first step of growing an epitaxial layer GaN on an epitaxially compentent layer under first growing conditions selected to induce island features formation, followed by (b.) a second step of growing an epitaxial layer of GaN under second growing conditions selected to enhance lateral growth until coalescence.
公开日期	2007-03-29
申请日期	2006-09-11
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43538]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SAINT-GOBAIN CRISTAUX & DETECTEURS
推荐引用方式 GB/T 7714	FRAYSSINET, ERIC,BEAUMONT, BERNARD,FAURIE, JEAN-PIERRE,et al. Process for producing an epitalixal layer of galium nitride. US20070072320A1.

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