InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability

	InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability
	Li, SG ; Gong, Q ; Lao, YF ; Zhang, YG（重点实验室） ; Feng, SL(重点实验室） ; Wang, HL
刊名	ELECTRONICS LETTERS
	2010
卷号	46 期号:2 页码:158-U83
关键词	Engineering Electrical & Electronic
ISSN号	0013-5194
学科主题	Engineering
收录类别	SCI
原文出处	10.1049/el.2010.3005
语种	英语
公开日期	2013-05-10
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115405]
专题	上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Li, SG,Gong, Q,Lao, YF,et al. InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability[J]. ELECTRONICS LETTERS,2010,46(2):158-U83.
APA	Li, SG,Gong, Q,Lao, YF,Zhang, YG,Feng, SL,&Wang, HL.(2010).InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability.ELECTRONICS LETTERS,46(2),158-U83.
MLA	Li, SG,et al."InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability".ELECTRONICS LETTERS 46.2(2010):158-U83.