Bi:CdWO(4)单晶的荧光特性 | |
99 ; 99 ; 99 ; 徐军 | |
刊名 | Acta Phys. Sin. |
2011-12-07 | |
ISSN号 | 1000-3290 |
其他题名 | Luminescence of Bi-doped CdWO(4) single crystals |
通讯作者 | 夏海平 |
中文摘要 | 用坩埚下降法( Bridgman) 生长出了Bi 离子掺杂的CdWO4单晶. 测定了晶体不同部位的吸收光谱、发射光谱和X 射线电子能谱( XPS) . Bi 离子的掺入引起CdWO4晶体的吸收边从345 nm 红移到399 nm. 在311 nm,373 nm,8 08nm 和980 nm 光的激发下,分别观测到中心波长为470 nm,528 nm,1078 nm 和较弱的1504 nm 四个不同发射带.Bi: CdWO4 单晶的XPS 谱分别与Bi2O3( Bi3 + ) 和NaBiO3( Bi5 + ) 样品的进行比较,推断Bi3 + 和Bi5 + 离子同时存在于CdWO4晶体中. 可见光波段的470 nm 与528 nm 荧光发射起因于CdWO4晶体基质中WO6 -6与掺杂于晶格中Bi3 +离子的发光; 而1078 nm 的发射峰则起因于Bi5 + 离子的发光. XPS 的分析结果与荧光强度的变化一致,沿着晶体生长方向,1078 nm 的荧光强度逐步变弱,Bi5 + 离子的含量逐步减少; 而位于528 nm 处的荧光强度则逐步增强,Bi3 +离子的含量逐步增多. |
学科主题 | 人工晶体 |
收录类别 | SCI收录 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-07-03 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/944] |
专题 | 上海硅酸盐研究所_人工晶体研究中心_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 99,99,99,等. Bi:CdWO(4)单晶的荧光特性[J]. Acta Phys. Sin.,2011. |
APA | 99,99,99,&徐军.(2011).Bi:CdWO(4)单晶的荧光特性.Acta Phys. Sin.. |
MLA | 99,et al."Bi:CdWO(4)单晶的荧光特性".Acta Phys. Sin. (2011). |
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