| 三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法 | |
| 刘卫丽 ; 宋志棠 ; 封松林 ; 陈邦明 | |
| 2008 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体器件(CMOS)结构及其制备方法,属微电子技术领域。本发明的特征是P沟道金属氧化物半导体器件(PMOS)和N沟道金属氧化物半导体器件(NMOS)处在不同的平面上,但在同一平面上仍是传统的平面MOS晶体管,是一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件(CMOS)结构。先在体硅或绝缘体上硅(SOI)衬底上制备PMOS或NMOS,然后利用化学机械抛光、低温键合和低温剥离工艺( <500oC )在器件层上制备另一层SOI结构,在第二层的SOI结构上制备NMOS或PMOS。如此反 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113604]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘卫丽,宋志棠,封松林,等. 三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法. 鉴定:无. 2008. |
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