氮化镓基多波段探测器及其制作方法

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	氮化镓基多波段探测器及其制作方法
	赵德刚; 张书明
	2010-08-12
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种氮化镓基多波段探测器，包括:一衬底;一短波段探测单元，包括:一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处;一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上;一中波段探测单元，包括:一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处;一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上;一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上;一长波段探测单元，包括:一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处;一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上;一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上;一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。
英文摘要	一种氮化镓基多波段探测器，包括:一衬底;一短波段探测单元，包括:一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处;一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上;一中波段探测单元，包括:一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处;一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上;一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上;一长波段探测单元，包括:一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处;一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上;一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上;一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3580.pdf: 618374 bytes, checksum: 6ad511a481bd59f901b7e76f6fd5e667 (MD5)
公开日期	2010-01-13 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15
申请日期	2008-07-09
语种	中文
专利申请号	CN200810116416.4
专利代理	汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13428]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵德刚,张书明. 氮化镓基多波段探测器及其制作方法. 2010-08-12.