| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 | |
| 王晓亮 ; 肖红领 ; 胡国新 ; 杨翠柏 ; 冉学军 ; 王翠梅 ; 张小宾 ; 李建平 ; 李晋闽 | |
| 2008-07-30 | |
| 专利类型 | 发明 |
| 英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200710062979.pdf: 492039 bytes, checksum: b43c5e61fa6c96231e1a018fb07b7671 (MD5) Previous issue date: |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2007-01-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710062979 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4123]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,肖红领,胡国新,等. 生长氮化铟单晶薄膜的方法. 2008-07-30. |
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