退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用

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	退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用
	邓洪海 ; 魏鹏 ; 朱耀明 ; 李淘 ; 夏辉 ; 邵秀梅 ; 李雪 ; 缪国庆 ; 张永刚 ; 龚海梅
刊名	红外与激光工程
	2012
期号	2 页码:279-283
关键词	快速热退火 Zn扩散结深 InGaAs
ISSN号	1007-2276
中文摘要	采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n结结深的影响。结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深;高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深;计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12cm2/s、1.341 10-12cm2/s、1.067×10-12cm2/s。
收录类别	CNKI2012-055
语种	中文
公开日期	2013-02-22
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110938]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	邓洪海,魏鹏,朱耀明,等. 退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用[J]. 红外与激光工程,2012(2):279-283.
APA	邓洪海.,魏鹏.,朱耀明.,李淘.,夏辉.,...&龚海梅.(2012).退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用.红外与激光工程(2),279-283.
MLA	邓洪海,et al."退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用".红外与激光工程 .2(2012):279-283.