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	Facile fabrication of graphene-topological insulator Bi2Se3 hybrid Dirac materials via chemical vapor deposition in Se-rich conditionsSCI被引量：SCI原文链接
	Zhang, C.[1]; Liu, M.[1]; Man, B. Y.[1]; Jiang, S. Z.[1,3]; Yang, C.[1]; Chen, C. S.[1]; Feng, D. J.[2]; Bi, D.[1]; Liu, F. Y.[1]; Qiu, H. W.[1]
	2014
卷号	16期号:38页码:8941-8945
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000342070400002
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5781578
专题	山东师范大学
作者单位	1.[1]Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China 2.[2]Shandong Univ, Sch Informat Sci & Engn, Jinan 250100, Peoples R China 3.[3]Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhang, C.[1],Liu, M.[1],Man, B. Y.[1],等. Facile fabrication of graphene-topological insulator Bi2Se3 hybrid Dirac materials via chemical vapor deposition in Se-rich conditionsSCI被引量：SCI原文链接[J],2014,16(38):8941-8945.
APA	Zhang, C.[1].,Liu, M.[1].,Man, B. Y.[1].,Jiang, S. Z.[1,3].,Yang, C.[1].,...&Zhang, J. X.[1].(2014).Facile fabrication of graphene-topological insulator Bi2Se3 hybrid Dirac materials via chemical vapor deposition in Se-rich conditionsSCI被引量：SCI原文链接.,16(38),8941-8945.
MLA	Zhang, C.[1],et al."Facile fabrication of graphene-topological insulator Bi2Se3 hybrid Dirac materials via chemical vapor deposition in Se-rich conditionsSCI被引量：SCI原文链接".16.38(2014):8941-8945.

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