| 高曝光深度的表面等离激元光刻直写头设计分析 | |
| 孙克伟（孙克伟）; 陈翔; 刘伟士; 谌宁生; 褚裕义; 谢凤瑛 | |
| 刊名 | 红外与激光工程
 |
| 1998 | |
| 卷号 | 23期号:12页码:3254-3258 |
| 关键词 | SPP直写光刻 直写头 SPP谐振腔 |
| ISSN号 | 1007-2276 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5708852 |
| 专题 | 湖南中医药大学 |
| 作者单位 | 1.[孙旭飞 2.岳阳 3.杜惊雷 4.张志友] 四川大学物理科学与技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙克伟(孙克伟),陈翔,刘伟士,等. 高曝光深度的表面等离激元光刻直写头设计分析[J]. 红外与激光工程,1998,23(12):3254-3258. |
| APA | 孙克伟,陈翔,刘伟士,谌宁生,褚裕义,&谢凤瑛.(1998).高曝光深度的表面等离激元光刻直写头设计分析.红外与激光工程,23(12),3254-3258. |
| MLA | 孙克伟,et al."高曝光深度的表面等离激元光刻直写头设计分析".红外与激光工程 23.12(1998):3254-3258. |
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