Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate | |
Hu, WX ; Cheng, BW ; Xue, CL ; Su, SJ ; Liu, Z ; Li, YM ; Wang, QM ; Wang, LJ ; Liu, JQ ; Ding, J ; Lin, GJ ; Lin, ZD | |
刊名 | thin solid films |
2012 | |
卷号 | 520期号:16页码:5361-5366 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-02-04 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23534] |
专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Hu, WX,Cheng, BW,Xue, CL,et al. Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate[J]. thin solid films,2012,520(16):5361-5366. |
APA | Hu, WX.,Cheng, BW.,Xue, CL.,Su, SJ.,Liu, Z.,...&Lin, ZD.(2012).Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate.thin solid films,520(16),5361-5366. |
MLA | Hu, WX,et al."Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate".thin solid films 520.16(2012):5361-5366. |
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