| 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 | |
| 赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 于淑珍; 赵春雨; 杨辉 | |
| 2015-12-23 | |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 专利号 | CN103368074B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.018～0.024；x=0.014～0，y=0.022～0；并且，本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明采用GaNAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料，GaNAsBi的禁带宽度大小对温度极不敏感，基于该材料的激光器有源区拥有极佳的温度特性。 |
| 公开日期 | 2015-12-23 |
| 申请日期 | 2013-07-18 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42923]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵勇明,董建荣,李奎龙,等. 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法. CN103368074B. 2015-12-23. |
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