| Semiconductor light-emitting device and production method thereof | |
| KIDOGUCHI, ISAO; ADACHI, HIDETO; ISHIBASHI, AKIHIKO; OHNAKA, KIYOSHI; BAN, YUZABURO; KUBO, MINORU | |
| 2000-10-24 | |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 专利号 | US6136626 |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| 英文摘要 | A semiconductor light-emitting device with a double hetero structure, including: an active layer made of Ga1-xInxN (0 |
| 公开日期 | 2000-10-24 |
| 申请日期 | 1999-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42174]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KIDOGUCHI, ISAO,ADACHI, HIDETO,ISHIBASHI, AKIHIKO,et al. Semiconductor light-emitting device and production method thereof. US6136626. 2000-10-24. |
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