| 采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路 | |
| 黄果池; 李景虎; 张远燚 | |
| 2016-06-08 | |
| 著作权人 | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 |
| 专利号 | CN103928842B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路 |
| 英文摘要 | 采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，属于集成电路领域，本发明目的是在不增加驱动器功耗的同时增大驱动器的电压增益-3dB带宽，增强高频调制电流输出能力，改善输出高频电流信号的眼图特性。本发明采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，它由m级放大器级联构成，m为大于或等于1的自然数；m级放大器中的第n级放大器为采用负电容中和技术的可控增益放大器，n≤m，第n级放大器包括差分放大器和源极跟随器；所述差分放大器包括可控电流源In1、NMOS晶体管Nn1、NMOS晶体管Nn2、负载电阻Rn1、负载电阻Rn2、电容Cn1和电容Cn2；所述源极跟随器包括可控电流源In2、可控电流源In3、NMOS晶体管Nn3和NMOS晶体管Nn4。 |
| 公开日期 | 2016-06-08 |
| 申请日期 | 2014-04-23 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41601]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄果池,李景虎,张远燚. 采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路. CN103928842B. 2016-06-08. |
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