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	Porous substrate for epitaxial growth, method for manufacturing same, and method for manufacturing III-nitride semiconductor substrate
	OSHIMA, YUICHI; SHIBATA, MASATOMO
	2006-10-10
著作权人	HITACHI CABLE, LTD.
专利号	US7118934
国家	美国
文献子类	授权发明
其他题名	Porous substrate for epitaxial growth, method for manufacturing same, and method for manufacturing III-nitride semiconductor substrate
英文摘要	A porous substrate for epitaxial growth includes an underlying layer made of III-nitride semiconductor which is grown on a sapphire substrate, a void-formation preventive layer which is grown on the underlying layer, a porous III-nitride semiconductor layer and a porous metallic layer on the porous III-nitride semiconductor layer.
公开日期	2006-10-10
申请日期	2004-04-12
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38204]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI CABLE, LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	OSHIMA, YUICHI,SHIBATA, MASATOMO. Porous substrate for epitaxial growth, method for manufacturing same, and method for manufacturing III-nitride semiconductor substrate. US7118934. 2006-10-10.

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