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	NANOKRISTLALLSTRUKTUREN
	EISLER HANS J.; SUNDAR VIKRAM C.; WALSH MICHAEL E.; KLIMOV VICTOR I.; BAWENDI MOUNGI G.; SMITH HENRY I.
	2008-09-04
著作权人	MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
专利号	DE60227840D1
国家	德国
文献子类	授权发明
其他题名	NANOKRISTLALLSTRUKTUREN
英文摘要	A structure including a grating and a semiconductor nanocrystal layer on the grating, can be a laser. The semiconductor nanocrystal layer can include a plurality of semiconductor nanocrystals including a Group II-VI compound, the nanocrystals being distributed in a metal oxide matrix. The grating can have a periodicity from 200 nm to 500 nm.
公开日期	2008-09-04
申请日期	2002-11-18
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33823]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
推荐引用方式 GB/T 7714	EISLER HANS J.,SUNDAR VIKRAM C.,WALSH MICHAEL E.,et al. NANOKRISTLALLSTRUKTUREN. DE60227840D1. 2008-09-04.

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