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	TEM characterization of Si films grown on 6H-SiC (0001) C-face
	Li, Lianbi; Chen, Zhiming; Xie, Longfei; Yang, Chen
	2013
卷号	93页码:330-332
关键词	Si/6H-SiC heterojunction Epitaxial growth Transmission electron microscopy Chemical vapor deposition
ISSN号	0167-577X
DOI	10.1016/j.matlet.2012.11.093
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000315608300090
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5013099
专题	西安理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Li, Lianbi,Chen, Zhiming,Xie, Longfei,et al. TEM characterization of Si films grown on 6H-SiC (0001) C-face[J],2013,93:330-332.
APA	Li, Lianbi,Chen, Zhiming,Xie, Longfei,&Yang, Chen.(2013).TEM characterization of Si films grown on 6H-SiC (0001) C-face.,93,330-332.
MLA	Li, Lianbi,et al."TEM characterization of Si films grown on 6H-SiC (0001) C-face".93(2013):330-332.

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