| 基于Nakagawa极限理论的硅基IGBT通态特性研究 | |
| 张如亮; 王彩琳 | |
| 2017 | |
| 卷号 | 37页码:345-349 |
| 关键词 | 绝缘栅双极晶体管 注入增强 Nakagawa-limit 部分窄Mesa 通态比电阻 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| DOI | 10.19623/j.cnki.rpsse.2017.05.009 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4976962 |
| 专题 | 西安理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张如亮,王彩琳. 基于Nakagawa极限理论的硅基IGBT通态特性研究[J],2017,37:345-349. |
| APA | 张如亮,&王彩琳.(2017).基于Nakagawa极限理论的硅基IGBT通态特性研究.,37,345-349. |
| MLA | 张如亮,et al."基于Nakagawa极限理论的硅基IGBT通态特性研究".37(2017):345-349. |
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