| SiC MOSFET开关特性及多等级栅电压驱动电路 | |
| 乔小可; 杨媛; 王庆军 | |
| 2019 | |
| 页码 | 17-20 |
| 关键词 | 金属-氧化物半导体场效应晶体管 开关特性 驱动电路 |
| ISSN号 | 1000-100X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4969416 |
| 专题 | 西安理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乔小可,杨媛,王庆军. SiC MOSFET开关特性及多等级栅电压驱动电路[J],2019:17-20. |
| APA | 乔小可,杨媛,&王庆军.(2019).SiC MOSFET开关特性及多等级栅电压驱动电路.,17-20. |
| MLA | 乔小可,et al."SiC MOSFET开关特性及多等级栅电压驱动电路".(2019):17-20. |
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