硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法

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	硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法; 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法; 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法; 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
	杨晓光
专利国别	中国
专利号	CN102130206A
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法,包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在n+型GaAs单晶片上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构,作为电池的i吸收层；步骤4：在多个周期的量子点结构上依次生长本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p型Al0.4Ga0.6As层和p型GaAs层；步骤5：在p型GaAs层上生长ZnS/MgF2层；步骤6：在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极；步骤7：在n+型GaAs单晶片的下表面制作下金属电极；步骤8：对电池组件进行封装,完成太阳电池的制作。
公开日期	2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
语种	中文
专利申请号	CN201010602219.0
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23491]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	杨晓光. 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法, 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法, 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法, 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法. CN102130206A.