| 关于GaN基LED外延结构中超晶格对芯片参数影响的研究 | |
| 柳阳; 梁红伟; 宋世巍 | |
| 2012 | |
| 会议名称 | 第十二届全国MOCVD学术会议 |
| 会议日期 | 2012-04-11 |
| 会议地点 | 厦门 |
| 关键词 | GaN LED 外延结构 超晶格 有源层 MOCVD 外延片 光功率 蓝宝石衬底 深层机制 |
| 页码 | 83-83 |
| 会议录 | 第十二届全国MOCVD学术会议
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4804646 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 116024 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柳阳,梁红伟,宋世巍. 关于GaN基LED外延结构中超晶格对芯片参数影响的研究[C]. 见:第十二届全国MOCVD学术会议. 厦门. 2012-04-11. |
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