Black phosphorus electronics | |
Huang, H; Jiang, B; Zou, XM; Zhao, XZ; Liao, L | |
刊名 | SCIENCE BULLETIN |
2019 | |
卷号 | Vol.64 No.15页码:1067-1079 |
关键词 | Anisotropy Doping Superlattices Contact Dielectric Transistors |
ISSN号 | 2095-9273;2095-9281 |
URL标识 | 查看原文 |
公开日期 | [db:dc_date_available] |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4750823 |
专题 | 湖南大学 |
作者单位 | 1.Wuhan Univ, Sch Phys & Technol, Wuhan 430072, Hubei, Peoples R China 2.Hunan Univ, Sch Phys & Elect, Minist Educ, Key Lab Micro Nanooptoelect Devices, Changsha 410082, Hunan, Peoples R China |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Huang, H,Jiang, B,Zou, XM,et al. Black phosphorus electronics[J]. SCIENCE BULLETIN,2019,Vol.64 No.15:1067-1079. |
APA | Huang, H,Jiang, B,Zou, XM,Zhao, XZ,&Liao, L.(2019).Black phosphorus electronics.SCIENCE BULLETIN,Vol.64 No.15,1067-1079. |
MLA | Huang, H,et al."Black phosphorus electronics".SCIENCE BULLETIN Vol.64 No.15(2019):1067-1079. |
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