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	Method for preparing beta-silicon carbide thin film for high-voltage power device, involves providing silicon source, hydrogen silicon source, and substrate for performing chemical vapor deposition and annealing processes.
	BIAN J LIU Y LIU W QIN F ZHANG Z BI
	2013
公开日期	2013-10-09
URL标识	查看原文
申请日期	2013-07-13
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4637842
专题	大连理工大学
作者单位	UNIV DALIAN TECHNOLOGY (UYDA-C
推荐引用方式 GB/T 7714	BIAN J LIU Y LIU W QIN F ZHANG Z BI. Method for preparing beta-silicon carbide thin film for high-voltage power device, involves providing silicon source, hydrogen silicon source, and substrate for performing chemical vapor deposition and annealing processes.. 2013-01-01.

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