SoI基微环谐振可调谐滤波器

	SoI基微环谐振可调谐滤波器
	姜宏伟 ; 吴远大
刊名	光电子·激光
	2011
卷号	22 期号:6 页码:813-815
中文摘要	采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si(SoI)基纳米线波导微环谐振(MRR)滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为16.8 nm,1.55μm波长附近的消光比(ER)为18.1 dB。通过对MRR滤波器进行热光调制,在21.4~60.0℃温度范围内实现了4.8 nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12 nm /℃。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家“863”计划资助项目,国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2012-07-17
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23285]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	姜宏伟,吴远大. SoI基微环谐振可调谐滤波器[J]. 光电子·激光,2011,22(6):813-815.
APA	姜宏伟,&吴远大.(2011).SoI基微环谐振可调谐滤波器.光电子·激光,22(6),813-815.
MLA	姜宏伟,et al."SoI基微环谐振可调谐滤波器".光电子·激光 22.6(2011):813-815.